H+-ISFET的溫度特性及補(bǔ)償

全部作者： 許姍 童敏明 李雪花 楊禮現(xiàn) 第1作者單位： 中國礦業(yè)大學(xué)信息與電氣工程學(xué)院 論文摘要： 本文通過研究氫離子敏場效應(yīng)傳感器（H+-ISFET）的物理化學(xué)結(jié)構(gòu)特性得到它的溫度特性，總結(jié)出它極易產(chǎn)生溫度漂移的特點(diǎn)。針對這個(gè)缺點(diǎn)，提出了5種抑制溫度漂移的方法，使得溫度補(bǔ)償后的H+-ISFET有了較好的溫度特性。 關(guān)鍵詞： 氫離子敏場效應(yīng)傳感器，H+-ISFET，溫度特性，溫度補(bǔ)償 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月09日 同行評議：

該文通過分析氫離子敏場效應(yīng)傳感器的特點(diǎn)，傳感器的溫度漂移，提出了幾種抑制溫度漂移的方法，具有1定的參考意義。如有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的支持則更好1些。比如補(bǔ)充1些溫漂的實(shí)際改善情況的數(shù)據(jù)則更有說服力 　

綜合評價(jià)： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價(jià)是綜合專家對論文各要素的評議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。

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