射頻反應(yīng)磁控濺射制備VOx薄膜
全部作者： 李建峰 吳志明 王濤 魏雄邦 黎威志 第1作者單位： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 論文摘要： 本文采用射頻反應(yīng)濺射法制備了VOx薄膜,重點(diǎn)研究了氧分壓對(duì)薄膜電學(xué)性能的影響，在低真空中330 ℃低溫退火得到了高性能的VOx 薄膜，制得了具有電阻溫度系數(shù)較高（-3.97%）和方阻較小的VOx薄膜, 并采用X光電子能譜分析儀XPS 對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)及成分進(jìn)行了分析，經(jīng)分析計(jì)算得到其化學(xué)計(jì)量式為VO1.9。 關(guān)鍵詞： VOx薄膜；射頻反應(yīng)濺射；電阻溫度系數(shù) (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月11日 同行評(píng)議：
該文研究了濺射條件主要是氧分壓對(duì)VOX薄膜電學(xué)性能的影響，雖然取得了1些有意義的結(jié)果，但總得來說不具有創(chuàng)新性。在論文寫作中，有1些基本的錯(cuò)誤，比如：（1）XPS不能用來分析材料的結(jié)構(gòu)，但在摘要中作者聲稱用XPS分析了薄膜的結(jié)構(gòu)。（2）在第2頁中，有1段這樣的描述：在氧分壓0.3％,......,金屬釩沒有產(chǎn)生反應(yīng)......。首先，“金屬釩沒有發(fā)生反應(yīng)”這個(gè)說法不清楚，應(yīng)該指出金屬釩與什么沒有發(fā)生反應(yīng)；其次，從本質(zhì)上說，金屬釩不可能沒有被氧化，只是氧化的程度較輕而已。 （3）在圖1中的升降溫度曲線的'表示方面，不夠清楚。橫坐標(biāo)的溫度都是從小到大，如何讓讀者辯明是升降溫曲線？（4）在第3頁中，作者描述XPS的分析室真空優(yōu)于220－7Pa，評(píng)審人認(rèn)為這不可能，希望這是1個(gè)筆誤。 此外，論文寫作用語不夠規(guī)范，有多處語法不通。比如：第2頁中的“由于靶表面只是吸附...”等等,不1而足。
綜合評(píng)價(jià)： 修改稿： 注：同行評(píng)議是由特聘的同行專家給出的評(píng)審意見，綜合評(píng)價(jià)是綜合專家對(duì)論文各要素的評(píng)議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。【射頻反應(yīng)磁控濺射制備VOx薄膜】相關(guān)文章：