SiC襯底上SiCGe外延薄膜的結(jié)構(gòu)分析

全部作者： 陳治明 李連碧 林濤 蒲紅斌 李佳 李青民 第1作者單位： 西安理工大學(xué) 論文摘要： 用SEM和TEM對(duì)熱壁化學(xué)氣相沉積法(HWCVD)在SiC襯底上外延生長(zhǎng)的SiCGe薄膜進(jìn)行了結(jié)構(gòu)分析，發(fā)現(xiàn)薄膜生長(zhǎng)具有明顯的隨溫度改變的島狀生長(zhǎng)特征，且遵循Stranski-Krastanov（SK）生長(zhǎng)模式。溫度較低時(shí)，在生長(zhǎng)初期形成的2D生長(zhǎng)層的上方，樣品具有兩種不同的島狀結(jié)構(gòu)：1種是球形結(jié)構(gòu)，另1種是3角型層狀堆疊結(jié)構(gòu)。前者形狀規(guī)則，在樣品中占主導(dǎo)地位，后者具有銳利整齊的臺(tái)階狀邊緣，數(shù)量較少。隨著溫度的升高，球形島逐漸減少，3角島逐漸增多，且在高溫下樣品中的3角島占主導(dǎo)地位。高分辨TEM 分析表明，高溫SiCGe/SiC樣品的界面清晰整齊，其生長(zhǎng)初期形成的2D層厚度達(dá)到了40nm，幾乎為溫度較低時(shí)2D生長(zhǎng)層厚度的兩倍。衍射花樣的標(biāo)定表明：2D層和3角島為閃鋅礦型結(jié)構(gòu)，而球形島則為金剛石型結(jié)構(gòu)。 關(guān)鍵詞： SiC；SiCGe；島狀生長(zhǎng)；熱壁化學(xué)氣相沉積 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月30日 同行評(píng)議：

論文研究分析了SiCGe在SiC襯底上外延生長(zhǎng)過(guò)程中溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的影響。有1定的新穎性，對(duì)于該領(lǐng)域的研究人員有參考價(jià)值。但文中有1些小錯(cuò)誤需要修改，如英文摘要中倒數(shù)第3行“TED”是否應(yīng)該為“TEM”。還有，論文最好對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果做1些更深入的討論，這樣可以提高論文的學(xué)術(shù)水平�！�

綜合評(píng)價(jià)： 修改稿： 注：同行評(píng)議是由特聘的同行專家給出的評(píng)審意見(jiàn)，綜合評(píng)價(jià)是綜合專家對(duì)論文各要素的評(píng)議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。

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