InP/InGaAs HBT頻率特性分析

全部作者： 馬曉暉 黃永清 吳強 第1作者單位： 北京郵電大學光通信與光波技術教育部重點實驗室 論文摘要： 頻響特性是HBT設計中應首先考慮的因素,而 ， 則是HBT最主要的頻率性能指標，本文基于InP/InGaAs HBT器件的物理結構構建了小信號等效電路模型。對該模型進行了理論分析和數值推導，借助PSpice和Matlab對該等效電路模型的頻響特性進行了詳細的仿真分析，得出了影響 ， 的主要因素，同時比較了PSpice和Matlab兩種軟件的優(yōu)劣，對InP/InGaAs HBT設計制作和性能優(yōu)化具有1定的指導作用。 關鍵詞： HBT，小信號電路模型，電流增益 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月30日 同行評議：

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